|
09.08.2026 10:23 |
TSMC сообщила о прорыве в разработке транзисторов следующего поколения
TSMC сообщила о прорыве в разработке транзисторов следующего поколения: компания создала транзистор на основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS₂), изготовленный по технологии, совместимой с современным полупроводниковым производством. Именно такие материалы толщиной в один атом рассматриваются как наиболее вероятная замена кремнию для техпроцессов уровня 0,7 нм
Обозрение "Terra & Comp".
|